電力設備板塊受益于1-7月電網投資特別是特高壓投資的高速增長，在最近持續跑贏大盤。在全年目標沒有變化的情況下，下半年投資增速放緩是既定的事實，但是在結構上將流向上半年低于預期的配網。另外，風電行業拐點來臨，低壓電器行業受益地產復蘇和原材料下跌，同樣值得關注。
明年或迎來配網投資高峰。今年1-7月，電網投資同比增長17%，達1947元，如此高的增速主要得益于上半年特高壓的集中交貨。我們認為，下半年超過兩位數的高速增長不可能維持，投資結構也將維持。但是，我們預期明年配網投資將迎來高峰，投資占比將大幅上升，利好配網設備企業。
配網自動化建設將迎來高峰。國務院常務會將加快配電網和智能電網建設定為今后工作的重點，過去幾年經過配網自動化試點、示范工程，配網自動化的技術方案逐步成熟，有在全國范圍內加快推廣的可能，未來配電自動化投資有望繼續快速增長。國網規劃到2015年之前，其配網自動化投資就將達400億，而過去每年的投資僅20-30億，市場具備成倍增長的想象空間。
風電行業迎來轉折點。我國風電行業在過去幾年經歷了“大躍進”式的發展，造成了并網難、事故頻發等后果，行業在11和12年步入了低谷。但是12年底和13年出現的幾個跡象讓我們判斷風電行業已經觸底，包括吊裝量企穩、招標量翻倍、消納好轉、風機價格回升等。行業未來幾年將迎來穩健成長。
低壓電器行業受益房地產復蘇和金屬下跌。房地產行業的開工面積在13年上半年重回正增長，竣工面積也維持了穩定的增速，利好低壓電器行業需求。
1-8月主要原材料銅價和銀價大幅下跌，美國退出QE的預期將持續壓低原材料價格，預計下半年價格仍然疲弱，利好低壓電器行業的毛利率。
我國政府已經制定了在十二五期間高壓開關行業的發展規劃，其中重點提到了加強開關智能化的研制工作，其技術發展也與電器元件的智能化惜惜相關。
“十二五”時期，我國高壓開關行業應以堅強智能電網全面建設為契機，以特高壓交、直流輸電工程為依托，增強自主創新能力，大力提升開關設備智能化水平，推進環保、節能、減排設備;應以特高壓輸電技術和先進電氣設備及集成技術為重點發展領域，深入開展1000kV特高壓輸電及關鍵設備、核心技術研究，加速交、直流高壓設備的完全國產化;并通過對先進電氣設備及集成技術的前期研究，力求在超導電力裝備關鍵技術有重點突破;努力促進產業結構優化、升級，進一步提升行業整體技術水平和國際競爭力，努力實現高壓開關行業由大到強的轉變。
目前，電氣產品的更新換代非常頻繁，往往在短時間內，就可以淘汰很多舊式的產品系列。在電器元件智能化的同時，高壓開關也不斷向智能化方向推進。目前在國際上處于領先地位的高壓開關柜產品具有脫扣回路斷線監測、動作時間檢測、接觸部件檢測、彈簧的儲能時間檢測等功能，綜合這些功能就構成了智能化高壓開關。
“十二五”期間，高壓開關行業大型骨干企業，進一步深入開展特高壓開關設備核心技術與關鍵部件的技術研究，實現特高壓裝備立足國內、自主研發、全面實現國產化的目標。結合智能電網、數字變電站、配網自動化等的建設，大力推進開關設備智能化。由于開關設備智能化技術尚屬行業的弱項，故建議先易后難地開發研制，如：先開發配網用智能斷路器，再研發配網智能化用開關柜，智能電網GIS、GCB及其他智能組件等，重點在開關一次設備和二次控制的整體融合與接口技術的研發。
全球半導體市場可望在2014年大發利市。新興市場對中低價智慧型手機需求持續升溫，除激勵相關晶片開發商加緊研發更高性價比的解決方案外，亦掀動16/14奈米（nm）鰭式電晶體（FinFET）與三維（3D）快閃記憶體等新技術的投資熱潮，為明年半導體產業挹注強勁成長動能。
應用材料副總裁暨臺灣區總裁余定陸表示，單就出貨量而言，現今高價智慧型手機的成長力道確實已不如中低價手機，促使手機品牌業者紛紛推出性價比更高的中低價產品，希冀藉此搶攻中國大陸、俄羅斯、東南亞與中南美等新興市場，進而激勵半導體產業市場產值向上成長。
余定陸進一步指出，過去個人電腦盛行時，電腦銷售是以「戶」為單位，因此銷售成長有限;現今智慧型手機銷售則是以「人」為單位，成長力道自然相對更加強勁，并同時可創造出更多半導體生產、封裝與設計的需求。毫無疑問，智慧型手機目前正主導著全球半導體市場，特別是未來中低價智慧型手機更是引燃2014年半導體市場商機熾熱的新火種。
隨著中低價智慧型手機已成為手機品牌業者新的主戰場，各家業者須推出「高貴不貴」的新產品，才有機會在激烈的市場中脫穎而出，因此半導體晶圓代工、封裝業者也正戮力研發16/14奈米與3D快閃記憶體等技術，并進一步提升半導體設備與材料效能，協助晶片商打造高效能的中低價智慧型手機方案。
事實上，行動運算時代與過去個人電腦時代最大的差異處，在于產品對耗電量的要求。以手機應用處理器（AP）為例，其運作大約需要2瓦（W）電力，且溫度須維持攝氏35度以下，才適合讓消費者握在手中;筆記型電腦的處理器運算能力雖然是應用處理器的四倍，但需要50瓦電力，運作溫度則是80度，顯見半導體業者若要卡位行動裝置商機，勢必得減少電晶體耗電量。
余定陸補充，新一代16/14奈米FinFET與3D快閃記憶體將是改善電晶體效能的最佳解決方案，并為半導體設備產業帶來更多商機;其中，16/14奈米FinFET將可為設備產業增加25～35%市場規模，快閃記憶體也將因為制程技術從2D轉向3D而增加25～35%市場規模。
