霍爾傳感器10大品牌排行榜數據賦能 共話品牌 相信品牌的力量榜單說明品牌榜更新時間:2025年07月2日(榜中榜每月更新)入榜《2025年CNPP霍爾傳感器十大品牌榜中榜名錄》的有:ALLEGRO、infineon英飛凌、Melexis、TDK Micronas、NXP恩智浦、AKM旭化成微電子、BoschSensortec博世、Honeywell霍尼韋爾、TI德州儀器、ST意法半導體等,霍爾傳感器10大品牌排行榜由CNPP品牌榜中榜大數據「研究院」和CN10排排榜技術「研究院」通過資料收集整理,并基于大數據統計及人為根據市場和參數條件變化的分析研究專業測評而得出,是大數據、云計算、數據統計真實客觀呈現的結果,排序不分先后,不是認定認證、不是競價排名、不是表彰評選、不是評獎評比,旨在褒揚優秀品牌,展現優秀企業。霍爾傳感器10大品牌行業推薦品牌
ALLEGRO(埃戈羅微電子(上海)有限公司)成立于1990年,傳感器和功率集成電路和光子學領域的全球半導體領軍企業,霍爾效應傳感器IC領域的佼佼者,埃戈羅微電子(上海)有限公司。得票指數:0
infineon英飛凌(英飛凌科技(中國)有限公司)成立于1999年,全球功率系統和物聯網領域先進的半導體科技公司,專業生產IGBT組件、分立器件、智能卡芯片和功率半導體產品等產品,為汽車和工業功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統解決方案,其產品素以高可靠性、卓越質量和創新性著稱,業務遍及全球,已成為全球汽車半導體行業的佼佼者。得票指數:0
Melexis(邁來芯電子科技(上海)有限公司)成立于1988年比利時,汽車半導體傳感器領域的全球領先者,世界3D霍爾傳感器領域的佼佼者,邁來芯電子科技(上海)有限公司。得票指數:0
4TDK Micronas(東電化(中國)投資有限公司)成立于1993年瑞士,日本TDK集團旗下,基于CMOS的霍爾效應傳感器的全球先導者,為汽車和工業電子領域提供領先的半導體解決方案,東電化(中國)投資有限公司。得票指數:0
5NXP恩智浦(恩智浦(中國)管理有限公司)前身為荷蘭飛利浦公司的半導體事業部,于2006年進行拆分獨立,成立恩智浦半導體,之后與飛思卡爾合并,在物聯網和汽車領域進一步拓展業務,成為全球大型半導體公司和汽車供應商,在相關領域擁有市場領先地位,產品應用涵蓋安全互聯汽車、移動設備、工業物聯網、智慧城市、智慧家居、通信基礎設施等市場。得票指數:0
6AKM旭化成微電子(旭化成(中國)投資有限公司)始于1980年,旭化成集團旗下,全球大型的半導體集成電路供應商,提供霍爾傳感器/三軸磁傳感器/旋轉角度傳感器等精密集成電路產品,旭化成(中國)投資有限公司。得票指數:0
7BoschSensortec博世(博世(中國)投資有限公司)博世傳感器(Bosch Sensortec)成立于2005年德國,為羅伯特·博世旗下全資子公司,全球領先的微機電系統(MEMS)傳感器和解決方案供應商,MEMS傳感器技術先導者,產品涵蓋了壓力、加速度、氣體傳感器、陀螺儀等多種MEMS傳感器,為消費類電子產品提供范圍廣泛MEMS傳感器產品組合。得票指數:0
8Honeywell霍尼韋爾(霍尼韋爾(中國)有限公司)創始于1885年美國,全球頗具影響力的高科技企業,業務覆蓋航空航天科技、智能建筑科技、能源與可持續技術、智能工業科技等領域,于1935年正式進入國內市場。霍尼韋爾致力于提供廣泛的工業技術和數字解決方案,產品線涵蓋航空產品和服務、樓宇和工業控制技術、以及特性材料等品類,營銷服務網絡遍布海內外多個國家和地區。得票指數:0
9TI德州儀器(德州儀器半導體技術(上海)有限公司)成立于1930年,是源于美國的一家知名半導體企業,TI主要生產芯片、溫度傳感器、運算放大器、電機驅動器等系列產品。1986年TI正式進軍中國市場,促進了中國電子產業結構的優化升級,增強中國高端產品設計創新能力,如今TI半導體分銷網絡遍布中國,上海、北京、深圳及香港等地更是設立了辦事處。得票指數:0
10ST意法半導體(意法半導體(中國)投資有限公司)創始于1988年,全球知名的半導體公司,世界較大的半導體制造商,業務涉及智慧出行、電力能源、物聯網等領域,主營產品包括專用汽車IC、分立器件、功率晶體管、模擬器件、功率半導體、射頻器件、光學傳感器等,在全球擁有10多個半導體制造基地,業務遍及歐洲、亞洲和美洲等國家/地區,成為歐洲半導體行業的佼佼者。得票指數:0

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1、輸入電阻R
霍爾傳感器元件兩激勵電流端的直流電阻稱為輸入電阻。它的數值從幾歐到兒百歐,視不同型號的元件而定。
溫度升高,輸入電阻變小,從而使輸入電流變大,最終引起霍爾傳感器電勢變化。為了減少這種影響,最好采用恒流源作為激勵源。
2、輸出電阻R
兩個霍爾傳感器電勢輸出端之間的電阻稱為輸出電阻,它的數位與輸入電阻同一數量級。它也隨溫度改變順改變。選擇適當的負載電阻易與之匹配,可以使由溫度引起的程水電勢的漂移減至最小。
3、最大激勵電流I---霍爾傳感器參數
由于霍爾傳感器電勢隨激勵電流的增大而增大,故在應用中總希望選用較大的激勵電流1M但激勵電流增大,程爾元件的功耗增大,元件的溫皮升高,從而引起霍爾傳感器屯勢的溫漂增大,因此每種型號的幾件均規定了相應的最大激勵電流,它的數值從幾毫安至幾百毫安。
4、靈敏度K
靈敏度KH=EH/IB,它的數值約為10MV(MA.T)左右。
5、最大磁感應強度BM---霍爾傳感器參數
磁感應強度超過BM時,霍爾傳感器電勢的非線性誤差將明顯增大,特斯撿(T)成幾千高斯(Gs)(1Gs=104T)。
6、個等位電勢
在額定激勵電流F,當外加磁場為零時它是由于4個屯極的幾何尺寸不對稱引起的誤差。
7、霍爾傳感器屯勢溫度系數
6M的數值一般為零點刀霍爾傳感器輸出端之間的開路電壓稱為不等位電勢,使用時多采用電橋法來補償不等位電勢引起日在一定磁感應強度和激勵電流的作用下,溫度每變化1攝氏度時,霍爾傳感器電勢變化的百分數弱為霍爾傳感器電勢溫度系數,它與霍爾傳感器元件的材料有關。
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