MOS管10大品牌排行榜【最新名單公布】:MOS管10大品牌排行榜數據賦能 共話品牌 相信品牌的力量榜單說明品牌榜更新時間:2025年07月8日(榜中榜每月更新)入榜《2
infineon英飛凌(英飛凌科技(中國)有限公司)成立于1999年,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域先進的半導體科技公司,專業(yè)生產IGBT組件、分立器件、智能卡芯片和功率半導體產品等產品,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案,其產品素以高可靠性、卓越質量和創(chuàng)新性著稱,業(yè)務遍及全球,已成為全球汽車半導體行業(yè)的佼佼者。得票指數:0
onsemi安森美(安森美半導體公司)安森美(onsemi)前身摩托羅拉半導體元件部門,于1999年分拆獨立上市,于2025年收購仙童半導體(Fairchild),現已成為全球半導體領域的領導者,在SiC功率元件、功率半導體等領域具備領先優(yōu)勢,產品涵蓋高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片及定制器件等。得票指數:0
ST意法半導體(意法半導體(中國)投資有限公司)創(chuàng)始于1988年,全球知名的半導體公司,世界較大的半導體制造商,業(yè)務涉及智慧出行、電力能源、物聯(lián)網等領域,主營產品包括專用汽車IC、分立器件、功率晶體管、模擬器件、功率半導體、射頻器件、光學傳感器等,在全球擁有10多個半導體制造基地,業(yè)務遍及歐洲、亞洲和美洲等國家/地區(qū),成為歐洲半導體行業(yè)的佼佼者。得票指數:0
4Toshiba東芝(東芝(中國)有限公司)全球領先的機械硬盤提供商,較早將HDR的PM商業(yè)化的HDD制造商,致力于推動硬盤技術和創(chuàng)新,以滿足和超越廣泛存儲市場細分領域的客戶需求,主要產品涵蓋存儲系統(tǒng)和服務器所需的企業(yè)級HDD、監(jiān)控攝像系統(tǒng)和NAS服務器、電腦等所需的消費級HDD。得票指數:0

5RENESAS瑞薩(瑞薩電子(中國)有限公司)瑞薩電子Renesas是日本知名的半導體解決方案供應商,專注于汽車電子、工業(yè)自動化和物聯(lián)網領域的綜合性企業(yè),由日立、三菱和NEC半導體業(yè)務合并而成。瑞薩擁有完整的芯片設計、制造到封測產業(yè)鏈,可提供微控制器、功率器件及模擬芯片等多元化產品,其R-Car系列處理器被廣泛應用于智能座艙和自動駕駛系統(tǒng)領域。得票指數:0
6華潤微電子(無錫華潤微電子有限公司)華潤集團旗下,上市公司,擁有芯片設計/晶圓制造/封裝測試等全產業(yè)鏈一體化運營能力的半導體企業(yè),先后整合華科電子/中國華晶/上華科技/中航微電子等,無錫華潤微電子有限公司。得票指數:0
7士蘭微電子Silan(杭州士蘭微電子股份有限公司)國內集成電路產業(yè)知名民營企業(yè),在功率驅動/半導體功率器件與模塊/MCU/音視頻SOC/MEMS傳感器/LED芯片等多個技術與產品領域具有較高水平,杭州士蘭微電子股份有限公司。得票指數:0
8VISHAY威世(威世(中國)投資有限公司)VISHAY威世始于美國,是全球知名電子元件制造商,通過研發(fā)、制造、設計、質量、銷售和市場營銷,提供基本元件系列產品,包括電阻器、?電容器、?感應器、?半導體器件和光電子元件等,廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、計算機、通信、國防、航空航天和醫(yī)療等領域。得票指數:0
9AOS(阿爾法和歐米伽半導體有限責任公司)成立于2000年,集半導體設計/晶圓制造/封裝測試為一體的高新技術企業(yè),主要從事MOSFET/IGBT等功率半導體的研發(fā)和生產,阿爾法和歐米伽半導體有限責任公司。得票指數:0
10nexperia安世半導體(聞泰科技股份有限公司)安世半導體(Nexperia)于2025年由NXP恩智浦(原飛利浦半導體)標準產品事業(yè)部獨立而成,現隸屬于聞泰科技(股票代碼:600745),是全球基礎半導體器件開發(fā)和生產領域的領導者,產品業(yè)務包括分立器件、邏輯器件以及PowerMOS等產品,應用領域包括汽車電子、工業(yè)控制、電信通訊、消費電子等。得票指數:0
知名(著名)MOS管,MOS管什么牌子好富士電機新潔能東微半導體捷捷微電揚杰YJ華微電子長晶科技LRCTI德州儀器立昂LionOMNIVISIONstarpowerVBsemi富滿微FM芯派科技SiSEMiConvert銳駿半導體以上品牌榜名單由CN10/CNPP品牌數據研究部門通過資料收集整理大數據統(tǒng)計分析研究而得出,排序不分先后,僅提供給您參考。我喜歡的品牌投票>>更多MOS管行業(yè)品牌知識點mosfet管的三個極分別是什么1、柵極G:mosfet管的柵極G是控制端,名字為gate,在G端加入高低電平即可控制mosfet管的開斷。對于NMOS而言,要求Vgs>0時,MOS管導通,否則mosfet關斷;對于PMOS而言,要求Vgs<0時,mosfet管導通,否則mosfet關斷。
2、源極S:源極,名字為Source,簡稱S。對NMOS而言,源極S是流出端,對PMOS而言,源極S是流入端。
3、漏極D:漏極,名字為Drain,簡稱D。對NMOS而言,漏極D是流入端,對PMOS而言,源極S是流出端。
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